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华虹集成电路有限责任公司技术部：
您好！我是桂林微网半导体有限责任公司技术部小黄，我们在使用贵公司的SHC1221智能卡芯片时存在以下问题：
1、发现卡片在客户下载模式下的ATR与原BL文档里面介绍的ATR不一致，现在卡片的ATR为：3B 07 26 05 55 04 01 00 00
而原BL文档所介绍的ATR为：3B 17 TA1 26 05 55 04 01 00 02，不过这不影响我们的开发。
2、在BL中进行临时下载时是通过检测0x8002E与0X8002F的地址是否为0XAA55来判断是进入客户下载模式或用户COS模式，若0X8002E 0X8002F的数据为0XAA55，则进入用户COS模式，否则进入用户下载模式。我们使用贵公司提供的USB下载工具软件采用明文下载后并没有进入用户COS的模式，我们通过分析导出来的APDU命令格式发现是因为0X8002E 0X8002F的数据并不为0XAA55，所以一直处于用户下载模式，但我不清楚贵公司提供的工具为什么没有生成往0X8002E 0X8002F地址写0XAA55的APDU下载命令呢？从下载模式转到用户COS模式是如何考虑的呢？另外贵公司提供的例程里面程序代码入口的flash地址为0X80000，在烧写代码时由于程序代码的存放地址也包括0X8002E 0X8002F的地址，所以我们并不能单独修改0X8002E与0X8002F地址的数据以使下载时让该地址的数据为0XAA55 。
另外测试发现，使用贵公司提供的USB下载工具软件生成的APDU命令发现，在生成的flash的APDU命令中，快速烧写flash的命令好像与BL文档里面介绍的不一致。如BL文档里面所介绍的flash烧写命令表现为：00 F8 P1 P2 Lc DATA 这是明文写FLASH，不做校验（快速写flash 流程）P1＝addr2（逻辑地址高8 位）P2＝addr1（逻辑地址低8 位）Lc＝写flash 的长度（1～ffh），而使用USB下载工具软件生成的下载命令格式为：00 F8 00 10 42 00 00 DATA ,所有的烧写flash命令的P1和P2都为00 10，若将其换成BL所介绍的命令将P1和P2改为flash的地址则会出现参数错误。在写flash之前PIN认证和基地址选择都正常，flash的烧写过程都正常，但就总进入不到COS去运行，所以我们没办法进行COS测试。
针对以上的问题，我们的目的就是能够从用户下载模式烧写COS到卡片中运行，并且能从COS状态返回到客户下载模式，希望贵公司技术人员在这方面能提供更为详尽的帮忙，谢谢。
桂林微网半导体有限责任公司 小黄
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